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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
6.4
12.3
写入速度,GB/s
3.7
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2617
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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