Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 35

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.8 6.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 24
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 21.0
Скорость записи, Гб/сек

6.5 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1994 4006

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

модули RAM