RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.8
Скорость записи, Гб/сек
6.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1994
3285
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link