RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
54
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1994
2938
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link