RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2925
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link