RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2298
3260
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link