Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 38

Около 34% меньшая задержка

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.4 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 38
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 14.0
Скорость записи, Гб/сек

8.6 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2239 2055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB

Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM