Kingston 9905469-124.A00LF 4GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Средняя оценка

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 50

Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.2 10.2

Среднее значение в тестах

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Причины выбрать
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.5 5.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 50
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 10.2
Скорость записи, Гб/сек

5.7 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1572 2064

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

модули RAM