RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3156
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link