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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3156
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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