RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2163
2148
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link