RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1901
2382
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB Сравнения RAM
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link