RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1896
3208
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link