RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
4.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
3306
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link