RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
73
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
55
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
4.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2701
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link