RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3011
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX16 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link