RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3011
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link