RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 24

Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 12.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 19200

Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 3011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns