RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
38
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3593
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link