RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3491
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link