RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
2339
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link