RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
86
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
86
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
1658
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link