RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
86
Autour de 57% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
86
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
1658
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link