RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2207
1832
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link