RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston 9905598-019.A00G 16GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2368
2349
Kingston 9905598-019.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link