RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
104
Около -300% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3938
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link