RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Kingston 9905624-019.A00G 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2350
2987
Kingston 9905624-019.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link