RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
11.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
1858
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link