RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около 9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
2947
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link