RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1358
2288
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link