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Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Kingston 9965472-006.A01LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
62
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1358
2288
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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