Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Средняя оценка

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 31

Около 13% меньшая задержка

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Причины выбрать
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.6 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 3509

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM