RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
33
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
20
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2965
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link