Kingston 9965525-140.A00LF 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 6.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 26
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 16.5
Скорость записи, Гб/сек

6.4 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1927 3025

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kllisre D4 8G 8GB

Kllisre D4 8G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

модули RAM