RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston 9965662-016.A00G 16GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2340
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link