RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
64
Около -178% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2532
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link