RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3297
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link