RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3297
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link