RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3297
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link