RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3297
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link