RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Сравнить
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB против Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2238
2204
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link