RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link