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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
29
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
28
読み出し速度、GB/s
13.4
17.4
書き込み速度、GB/秒
9.0
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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