RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
41
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2526
1512
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link