Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Причины выбрать
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 44

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 1,769.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 32
Скорость чтения, Гб/сек

4,482.7 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,769.9 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

525 2955

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

модули RAM