RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
71
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,769.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
71
Скорость чтения, Гб/сек
4,482.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,769.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
1863
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link