RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сравнить
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB против Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
27
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
20.9
Скорость записи, Гб/сек
8.3
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2320
3601
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link