RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2320
2666
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link