RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2128
2731
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link