RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2825
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link